Samsung annonce avoir une méthode de fabrication « révolutionnaire » du graphène
Samsung annonce avoir une méthode de fabrication « révolutionnaire » du graphène,
le matériau remplacera-t-il bientôt le silicium ?
Il y a déjà dix ans qu’Andre Geim, du département de physique de l’Université de Manchester, avait isolé pour la première fois le graphène, un cristal bidimensionnel (monoplan) de carbone dont l'empilement constitue le graphite. Les qualités électriques et mécaniques de ce matériau en font un bon candidat appliquées à de nombreux domaines, notamment l’électronique. La seule zone d’ombre étant que personne ne maitrisait sa production en masse. De plus, les progrès réalisés sur la conception de transistors en silicium ont rendu les recherches dans ce sens moins prioritaires.
Cependant aujourd’hui la donne pourrait changer : Samsung a en effet annoncé avoir découvert, en partenariat avec l’université de Science et d’Ingénierie des Matériaux Avancés de Sungkyungkwan, un procédé de synthèse pour produire du graphène en masse. Pour ceux qui ne connaissent pas les propriétés de ce matériau, Samsung rappelle que « le graphène offre une mobilité des électrons 100 fois supérieure à celle du silicium, le matériau actuellement le plus utilisé dans les semi-conducteurs. Il est plus résistant que l’acier, possède une haute conductivité de la chaleur et une flexibilité, ce qui en fait le matériau parfait pour les écrans flexibles, les accessoires et objets connectés et de futurs générations d’appareils électroniques. ».
« C’est l’une des percées les plus significatives dans l’histoire de la recherche sur le graphène, » explique le chercheur en chef. « Nous pensons que cette découverte va accélérer la commercialisation du graphène, ce qui pourrait ouvrir de nouvelles perspectives pour les prochaines générations de technologies d'électronique grand public, » poursuit-il.
Jusqu’à présent, la méthode de fabrication du graphène sur de grandes surfaces consistait à le synthétiser en structure multicristalline. La conséquence était que cette technique détériore les propriétés électriques et mécaniques du graphène en raison des ruptures qu’elle provoque au niveau des points de jonction entre les cristaux. Les chercheurs ont réussi à éviter cette retombée en optant pour une technique de fabrication de grandes surfaces de graphène monocristallin à l’échelle d’une galette de silicium. Aucune feuille de route n'a encore été communiquée.
Source : Samsung Tommorow, Science Mag
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