IdentifiantMot de passe
Loading...
Mot de passe oublié ?Je m'inscris ! (gratuit)
Navigation

Inscrivez-vous gratuitement
pour pouvoir participer, suivre les réponses en temps réel, voter pour les messages, poser vos propres questions et recevoir la newsletter

Hardware Discussion :

Intel prêt à produire de la mémoire STT-MRAM


Sujet :

Hardware

  1. #1
    Responsable Qt & Livres


    Avatar de dourouc05
    Homme Profil pro
    Ingénieur de recherche
    Inscrit en
    août 2008
    Messages
    26 308
    Détails du profil
    Informations personnelles :
    Sexe : Homme
    Localisation : France, Val de Marne (Île de France)

    Informations professionnelles :
    Activité : Ingénieur de recherche
    Secteur : Enseignement

    Informations forums :
    Inscription : août 2008
    Messages : 26 308
    Points : 187 401
    Points
    187 401
    Par défaut Intel prêt à produire de la mémoire STT-MRAM
    Intel est habitué à l'innovation du côté de la mémoire : après ses SSD Optane (donc du stockage à long terme) qui peuvent aussi s'utiliser en complément à la RAM (la mémoire vive), voici la mémoire STT-MRAM (spin-transferable torque magnetoresistive random-access memory). Elle a été présentée à la conférence SSCC (solid-state circuit conference) comme une alternative à la SRAM (static RAM), utilisée notamment pour les registres des processeurs (une latence presque invisible), mais aussi à la NAND (ou mémoire flash), que l'on retrouve dans les SSD et les cartes mémoire.

    La MRAM n'est pas une technologie nouvelle, puisqu'elle existe depuis les années 1990. Elle stocke l'information sous la forme de résistances magnétiques (plutôt que dans un condensateur pour la DRAM ou dans des portes logiques NAND pour la mémoire flash). Elle allie les avantages de tous les types de mémoire : on peut avoir de la MRAM très dense, avec des temps d'accès très réduits (de l'ordre de dix nanosecondes, tant en lecture qu'en écriture), mais aussi sans volatilité. L'endurance est aussi au rendez-vous, selon les tests d'Intel : une cellule de mémoire peut survivre à au moins un million de cycles, avec moins d'une erreur de lecture tous les mille milliards de cycles.

    Intel se focalise sur la STT-MRAM, un type particulier de mémoire magnétique : traditionnellement, pour inverser un bit, on utilise un champ magnétique relativement intense pour l'échelle considérée. La technologie STT utilise au contraire un courant électrique polarisé (tous les électrons ont le même spin). Cette technique utilise moins d'énergie pour changer un bit, de l'ordre du dixième de picojoule (une cinquantaine de fois moins que pour la DRAM usuelle, plusieurs centaines de fois moins que pour la mémoire flash).

    Pour le moment, Intel fabrique des composants de sept mégaoctets, qui ne révolutionneront donc pas l'industrie. Pour ce faire, la société utilise un processus de fabrication de semi-conducteurs relativement vieux (son 22 nm, disponible depuis 2011), mais atteint un taux de défauts inférieur à un pour mille. Cette prouesse est sûrement due à un processus de fabrication maîtrisé et à une conception relativement simple de la MRAM.

    Source : Intel STT-MRAM Technology Is Ready for Mass Production.
    Vous souhaitez participer aux rubriques Qt (tutoriels, FAQ, traductions) ou HPC ? Contactez-moi par MP.

    Créer des applications graphiques en Python avec PyQt5
    Créer des applications avec Qt 5.

    Pas de question d'ordre technique par MP !

  2. #2
    Membre expert

    Profil pro
    activité : oui
    Inscrit en
    janvier 2014
    Messages
    1 237
    Détails du profil
    Informations personnelles :
    Localisation : France

    Informations professionnelles :
    Activité : activité : oui

    Informations forums :
    Inscription : janvier 2014
    Messages : 1 237
    Points : 3 304
    Points
    3 304
    Par défaut
    Citation Envoyé par l'article
    Elle allie les avantages de tous les types de mémoire : on peut avoir de la MRAM très dense, avec des temps d'accès très réduits (de l'ordre de dix nanosecondes, tant en lecture qu'en écriture), mais aussi sans volatilité. L'endurance est aussi au rendez-vous, selon les tests d'Intel : une cellule de mémoire peut survivre à au moins un million de cycles, avec moins d'une erreur de lecture tous les mille milliards de cycles.
    en comparaison des SSD en cellules SLC, est-ce frénétiquement meilleur, ou comparable ?
    en terme de réactivité (nano-secondes) et d’endurance.
    Pensez à utiliser les pouces d’appréciation, pour participer à la visibilité de l'apport d'un propos, ou l'intérêt que vous y prêtez... qu'il soit positif ou négatif.

Discussions similaires

  1. Réponses: 25
    Dernier message: 17/08/2015, 08h41
  2. Réponses: 20
    Dernier message: 02/08/2015, 14h24
  3. Compilo intel 11.1 et gestion mémoire
    Par tyrahell dans le forum Fortran
    Réponses: 1
    Dernier message: 03/06/2010, 09h02
  4. Réponses: 0
    Dernier message: 29/03/2010, 09h49
  5. Réponses: 6
    Dernier message: 14/01/2010, 14h46

Partager

Partager
  • Envoyer la discussion sur Viadeo
  • Envoyer la discussion sur Twitter
  • Envoyer la discussion sur Google
  • Envoyer la discussion sur Facebook
  • Envoyer la discussion sur Digg
  • Envoyer la discussion sur Delicious
  • Envoyer la discussion sur MySpace
  • Envoyer la discussion sur Yahoo