Navigation

Inscrivez-vous gratuitement
pour pouvoir participer, suivre les réponses en temps réel, voter pour les messages, poser vos propres questions et recevoir la newsletter

  1. #1
    Chroniqueur Actualités

    Homme Profil pro
    Rédacteur technique
    Inscrit en
    mars 2017
    Messages
    665
    Détails du profil
    Informations personnelles :
    Sexe : Homme
    Localisation : Madagascar

    Informations professionnelles :
    Activité : Rédacteur technique
    Secteur : High Tech - Multimédia et Internet

    Informations forums :
    Inscription : mars 2017
    Messages : 665
    Points : 18 751
    Points
    18 751

    Par défaut IBM voit au-delà du 7 nm et mise le graphène en nanotechnologie

    IBM voit au-delà du 7 nm et mise le graphène en nanotechnologie
    Pour déposer des nanomatériaux sur des wafers et créer des puces plus performantes

    De nombreux acteurs de l’industrie technologique participent à des projets (de recherche et/ou de développement) axés de manière spécifique sur les nanotechnologies, des projets qui devraient à terme permettre de définir, d’évaluer, de fiabiliser et de vulgariser des technologies permettant par exemple de synthétiser des nanomatériaux.

    L’approche ascendante (« bottom-up ») pour la synthèse ou l’agencement de nanomatériaux consiste à élaborer à partir d’unités fondamentales (atomes, agrégats) des structures fonctionnelles de plus grande taille, grâce à des procédés physiques, chimiques ou mécaniques tels que : les technologies d’évaporation-condensation, les technologies de pulvérisation cathodique, les technologies sol-gel qui permettent de produire des nanomatériaux à partir de solutions, etc.

    L’approche descendante (« top-down ») consiste, pour sa part, à miniaturiser les structures existantes, permettant ainsi d’intégrer un maximum de composants élémentaires (transistors par exemple) sur une surface donnée. Elle a donné naissance aux technologies de lithographies (optiques, rayons X) ou de gravures par faisceaux d’ions permettant d’effectuer un empilement de couches minces de matériaux divers et variés (semi-conducteurs, métalliques, isolants).

    Nom : IBM-network-Blockchain-CONTENT-2018.jpg
Affichages : 1866
Taille : 30,6 Ko

    Il y a quatre ans, la société technologique américaine IBM a annoncé qu’au cours des cinq prochaines années, elle comptait investir 3 milliards USD environ dans un projet ambitieux baptisé « 7nm and Beyond » (7 nm et au-delà) visant à préparer le futur de la nanoélectronique.

    L’entreprise vient de confirmer à travers la publication des résultats d’une recherche qu’elle a menée sa volonté de rester un acteur important, voire incontournable, de l’industrie des nanotechnologies dans les années à venir. Les résultats de cette étude ont été récemment publiés dans la revue Nature Communications. Ils montrent que les chercheurs d’IBM ont, pour la première fois, réussi à électrifier le graphène afin de s’en servir pour déposer des nanomatériaux avec une précision de 97 % sur des wafers.

    Contrôler l’agencement des nanomatériaux au niveau des zones spécifiques prévues à cet effet avec une précision inférieure au micron reste l’une des difficultés majeures qui entravent l’intégration à grande échelle de ces composants dans l’industrie des semi-conducteurs. Certaines techniques dites descendantes actuellement employées ont l’inconvénient de pouvoir occasionner des modifications chimiques indésirables susceptibles de détériorer le matériau qui doit être déposé.

    D’autres procédés tels que la mise en place de nanomatériaux assistée par des champs électriques permettent d’éliminer l’élément de traitement chimique et sont, de ce fait, considérés comme moins destructeurs. Ils ne sont malgré tout pas exempts de défauts. Par exemple, le procédé de traitement non chimique mentionné précédemment nécessite l’incorporation d’électrodes conductrices pour la mise en place des nanomatériaux, ce qui limite la performance, la mise à l’échelle et la densité des dispositifs électroniques intégrés.

    Les chercheurs d’IBM ont de leur côté développé une technique de mise en place de nanomatériaux à partir d’une solution assistée par un champ électrique qui fait intervenir du graphène. Ce procédé hybride (bottom-up/ top-down) permet d’obtenir une résolution nanométrique à l’échelle du wafer, ouvrant ainsi les portes à la fabrication en masse de dispositifs nanoélectroniques et optoélectroniques impliquant une large gamme de nanomatériaux produits à partir de solutions.

    Nom : MzE0NjgzNA.jpeg
Affichages : 1889
Taille : 49,5 Ko

    « Comme cette méthode fonctionne pour une grande variété de nanomatériaux, nous envisageons des dispositifs intégrés avec des fonctionnalités qui représentent les propriétés physiques uniques du nanomatériau », a déclaré Mathias Steiner, directeur d’IBM Research-Brésil. Mathias Steiner a par la suite ajouté qu’il serait même possible d’imaginer « des détecteurs et émetteurs de lumière intégrés à la puce fonctionnant dans une gamme de longueurs d’onde distincte déterminée par les propriétés optiques du nanomatériau ».

    Il explique que, grâce à leurs travaux, si vous vouliez modifier la performance spectrale d’un dispositif optoélectronique, vous n’auriez qu’à simplement remplacer le nanomatériau en conservant le même procédé de fabrication. Pour aller encore plus loin, il précise que vous pourriez assembler différents nanomatériaux à différents endroits en effectuant plusieurs passes d’assemblage pour créer des détecteurs de lumière intégrés à la puce fonctionnant au même moment dans différentes fenêtres de détection.

    Pour réussir cette prouesse, ils ont commencé par cultiver le graphène sur du carbure de silicium, puis ils l’ont pelé et l’ont déposé sur un wafer de silicium/oxyde de silicium, soulignant qu’il serait possible de cultiver le graphène sur un autre matériau comme le cuivre. Ils ont, par la suite, traité le graphène (gravure) pour définir les sites de dépôt, ce qui peut être considéré comme la partie top-down du processus.

    La troisième étape a consisté à utiliser une technique bottom-up dans laquelle un champ électrique alternatif est appliqué aux couches de graphène préalablement traitées en même temps qu’une solution de nanomatériau est déposée sur le dessus. Le nanomatériau est ensuite tiré vers le bas et emprisonné entre les électrodes opposées du graphène qui seront éliminées au final.

    Le graphène a donc pour mission de définir l’emplacement pour la mise en place des nanomatériaux, de fournir l’orientation du champ électrique ainsi que la force de traction nécessaire à l’assemblage dirigé des nanomatériaux.

    « Nous pensons que la plus grande percée de ce travail réside dans la mise en place ascendante d’une grande variété de nanomatériaux avec une résolution à l’échelle nanométrique sur des zones beaucoup plus grandes, à l’échelle millimétrique, avec des électrodes faciles à éliminer (sans résidu) », a déclaré Steiner.

    « Les électrodes en graphène fournissent un alignement et une densité excellente de nanomatériaux, ils limitent l’exposition chimique et évitent les lignes métalliques, permettant une performance supérieure des dispositifs », a-t-il conclut.

    Les chercheurs d’IBM ont confié qu’ils développaient actuellement des émetteurs et des détecteurs de lumière intégrés à la puce dont les propriétés spectrales sont déterminées par le nanomatériau assemblé.

    À titre de rappel, le graphène est un cristal à deux dimensions formé d’une seule couche d’atomes de carbone. Ce nanomatériau inerte chimiquement est léger, résistant, imperméable, transparent, mais également flexible. Ce dérivé du carbone a été isolé à partir du graphite, le constituant des mines de crayon et découvert, pour la première fois en 2004.

    Une étude plus récente publiée cette année a déjà montré qu’il est possible de conférer au graphène les mêmes propriétés que le silicium afin de l’exploiter dans a fabrication de semi-conducteurs, grâce à un procédé innovant mis au point par des chercheurs espagnols. Ces derniers ont réussi à concevoir du graphène nanoporeux atomiquement homogène possédant des propriétés électromagnétiques semblables à celles du silicium et disposant de pores dont la taille, la densité et la morphologie sont suffisantes pour créer un Band Gap parfait.

    Source : Nature, Spectrum ieee

    Et vous ?

    Qu’en pensez-vous ?

    Voir aussi

    Le graphène pourrait faire disparaître les ventilateurs dans les ordinateurs par ses propriétés de refroidissement autonome
    Graphène ball : la nouvelle technologie de stockage d'énergie développée par Samsung pour booster la capacité et le temps de recharge des batteries
    3 nm, 5 nm et 7 nm : tour d'horizon des différents procédés de gravure en cours d'exploitation ou en devenir dans l'industrie des semi-conducteurs
    IBM, Samsung et GlobalFoundries présentent la première puce gravée à 5 nm, grâce aux nouveaux transistors GAAFET
    Contribuez au club : Corrections, suggestions, critiques, ... : Contactez le service news et Rédigez des actualités

  2. #2
    Nouveau Candidat au Club
    Homme Profil pro
    Historien
    Inscrit en
    mai 2018
    Messages
    379
    Détails du profil
    Informations personnelles :
    Sexe : Homme
    Âge : 28
    Localisation : Algérie

    Informations professionnelles :
    Activité : Historien

    Informations forums :
    Inscription : mai 2018
    Messages : 379
    Points : 0
    Points
    0

    Par défaut

    depuis le temps que l'on parle du graphène, étrange que l'on soit encore et toujours au silicium

    le titre de la news a le mérite d'etre honnete avec le lecteur, "IBM voit au-delà du 7 nm "
    oui nous voyons au delà, mais rien d'industrialisable encore


    il est important de pas mélanger la découverte d'un chercheur en université qui fait le buzz en quête désespérer de financement et l'industrialisation qui sont 2 monde qui n'ont rien a voir.

    au dela du 7nm, de toute mùaniere la roadmap des fondeurs ont déja été annoncé, du 5nm et du 3nm, ce qui nous projette donc en 2025 au plus tôt, soit dans 7ans
    mais je parierais plus sur 10ans au moins avant d'avoir autre chose que du silicium.

  3. #3
    Membre averti
    Profil pro
    Inscrit en
    janvier 2014
    Messages
    214
    Détails du profil
    Informations personnelles :
    Localisation : France

    Informations forums :
    Inscription : janvier 2014
    Messages : 214
    Points : 446
    Points
    446

    Par défaut

    Si entrevoir une industrialisation de masse dans 10 ans pour l'électronique générale, je la projetterait encore plus loin concernant les processeurs.
    Aujourd'hui, il y a des problèmes pour produire en quantité de grandes surfaces, absentes de défauts, et d'autres pour l'assembler avec précision.
    Les graphènes produit actuellement sont soit grossiers, en quantité, soit convenables, en faible quantité.

    10 ans pour surmonter toutes ces difficultés (2028), semble assez optimiste. ^^'
    Pensez à utilisez les pouces d’appréciation, pour participez à la visibilité de l'apport d'un propos, ou l'intérêt que vous y prêtez... qu'il soit positif ou négatif.

Discussions similaires

  1. Réponses: 0
    Dernier message: 12/06/2013, 10h55
  2. Réponses: 0
    Dernier message: 12/06/2013, 10h55
  3. IBM rachète Rational
    Par Marc Lussac dans le forum Actualités
    Réponses: 27
    Dernier message: 18/07/2007, 17h51
  4. Comment désactiver Ctrl+Alt+Del sous Windows XP
    Par ETOKA dans le forum API, COM et SDKs
    Réponses: 6
    Dernier message: 04/06/2003, 13h34
  5. [Kylix] Composant IBM pour fichiers XML
    Par Mister Nono dans le forum EDI
    Réponses: 1
    Dernier message: 29/09/2002, 20h28

Partager

Partager
  • Envoyer la discussion sur Viadeo
  • Envoyer la discussion sur Twitter
  • Envoyer la discussion sur Google
  • Envoyer la discussion sur Facebook
  • Envoyer la discussion sur Digg
  • Envoyer la discussion sur Delicious
  • Envoyer la discussion sur MySpace
  • Envoyer la discussion sur Yahoo